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J-GLOBAL ID：201002224369393705   整理番号：10A0873035

バナジウムを添加したTeMo₅O₁₆二次元半導体触媒の化学制御構造緩和および酸化還元能の増強

Chemistry-Controlled Structural Relaxation and Enhanced Redox Abilities in Vanadium-Doped Two-Dimensional Semiconductive TeMo₅O₁₆ Catalyst

著者 (6件)： ZHU Yihan (Zhejiang Univ. (Xixi Campus), Hangzhou, CHN) ,  DONG Xue (Zhejiang Univ. (Xixi Campus), Hangzhou, CHN) ,  LU Weimin (Zhejiang Univ. (Xixi Campus), Hangzhou, CHN) ,  WANG Yang (Zhejiang Univ. (Xixi Campus), Hangzhou, CHN) ,  LI Han (Zhejiang Univ. (Xixi Campus), Hangzhou, CHN) ,  LV Guanglie (National Sci. Park of Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 31  ページ： 13277-13286  発行年： 2010年08月12日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TeV_nMo_5-nO₁₆(n=0~0.05)の構造および酸化還元特性を,UV-Vis,Raman,X線粉末回折法,走査型電子顕微鏡,X線光電子分光法などを用いて調べた。nが増加しても格子定数にはほとんど変化がなく,酸素空孔の生成は認められなかった。Vの添加によるMo₄O₁₈ユニット中のMoの4d電子の再配置によって,(Mo⁵-O-Mo⁵)/(Mo⁶-O-Mo⁶)酸化還元サイトが形成され,表面でのCH₃OHおよびC₃H₈/O₂の酸化還元反応が促進されると推定した。

シソーラス用語： *バナジウム ,  *添加物効果 ,  *テルル化合物 ,  *モリブデン酸塩 ,  *半導体 ,  *酸化還元反応 ,  空格子点 ,  格子定数 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  Ramanスペクトル ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線光電子スペクトル ,  触媒 ,  触媒活性 ,  結晶構造
準シソーラス用語： 酸素空孔

分類 (2件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (9件)： バナジウム ,  二次元半導体 ,  触媒 ,  化学 ,  制御構造 ,  緩和 ,  酸化 ,  還元能 ,  増強