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J-GLOBAL ID：201002224499750046   整理番号：10A0201758

発光ダイオードのダイオード理想因子を評価する技術

Technique to evaluate the diode ideality factor of light-emitting diodes

著者 (3件)： MASUI Hisashi (Solid State Lighting and Energy Center, Materials Dep., Coll. of Engineering, Univ. of California-Santa Barbara ...) ,  NAKAMURA Shuji (Solid State Lighting and Energy Center, Materials Dep., Coll. of Engineering, Univ. of California-Santa Barbara ...) ,  DENBAARS Steven P. (Solid State Lighting and Energy Center, Materials Dep., Coll. of Engineering, Univ. of California-Santa Barbara ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 7  ページ： 073509  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光ルミネセンス技術をInGaN/GaN発光ダイオード(LED)に関して実証し,それらのダイオード理想因子を評価した。選択的に励起した活性領域は,発光に加えて,二つの接触端子間のポテンシャル差を生み出し,そこから,再結合速度及び端子電圧が関係した。市販LEDに関する得られた理想因子は,1.1と2.4の間で,電流-電圧特性により決定した値よりかなり小さかった。理想因子を,直接バンドギャップ発光pn接合の観点から議論し,量子井戸構造が,Sah-Noyce-Shockely分析により導入された再結合面の役割を支配するという考え方を提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  光ルミネセンス ,  発光 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  *理想因子

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 発光ダイオード ,  ダイオード ,  理想因子 ,  評価