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J-GLOBAL ID：201002224529343700   整理番号：10A0268175

強誘電性半導体Li-doped ZnOの紫外光照射効果

著者 (3件)： 武貞正樹 (北大 大学院) ,  鏡太介 (北大 大学院) ,  小野寺彰 (北大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 65  号： 1 第4分冊  ページ： 987  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 強誘電半導体 ,  リチウム ,  ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  *紫外線照射 ,  電子励起 ,  光ポンピング ,  転移温度 ,  励起状態 ,  緩和現象 ,  フォノン ,  動力学 ,  Fabry-Perot干渉計 ,  Brillouin散乱 ,  気体レーザ ,  セラミック ,  単結晶 ,  後方散乱 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 音響フォノン ,  He-Cdレーザ

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電性半導体 ,  Li ,  ZnO ,  紫外光 ,  照射効果