文献

J-GLOBAL ID：201002224705091810   整理番号：10A0622371

ランプ急速熱処理プロセスにおける昇温速度の高精度制御方法の実験的検討

著者 (4件)： 瓜本哲也 (神戸大 大学院) ,  平澤茂樹 (神戸大) ,  川南剛 (神戸大) ,  森本直樹 (神戸大 大学院)
資料名： 日本伝熱シンポジウム講演論文集(CD-ROM)
巻： 47th  ページ： ROMBUNNO.I233  発行年： 2010年 
JST資料番号： F0872D  ISSN： 1346-1532  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体の製造に使われるランプ熱処理では,昇温速度の誤差が熱処理誤差に大きく影響するため,昇温速度を与えられた条件になるように発熱制御することが重要である。本研究では,PID制御,伝熱モデルを用いた制御,昇温特性データを用いた学習制御とそれらの複合方法について,昇温速度制御方法を実験的に検討した。また外乱条件を強制的に与え,それらに対する耐性についても検討も行った。その結果,昇温速度が50°C/sの条件下において,昇温特性データとPID制御の複合方法では誤差を0.1%以下に低減することが実現できた。(著者抄録)

シソーラス用語： *ハロゲン電球 ,  熱処理 ,  昇温 ,  *加熱速度 ,  精度 ,  速度制御 ,  製造 ,  フィードバック制御 ,  熱伝達 ,  数学モデル ,  *学習制御 ,  複合技術 ,  擾乱 ,  予測誤差
準シソーラス用語： 高精度 ,  半導体製造 ,  PID制御

分類 (3件)： 電熱  (NB11020Y) ,  加熱  (PA03040C) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ランプ ,  急速熱処理 ,  プロセス ,  昇温速度 ,  実験