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J-GLOBAL ID：201002224764148566   整理番号：10A0204654

DNA分子デバイスにおける横電場変調トンネル磁気抵抗

Transverse electric field modulated tunneling magnetoresistance in a DNA molecular device

著者 (4件)： KANG Da-wei (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  QU Zhen (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  JIANG Hong (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  XIE Shi-jie (Shandong Univ., Jinan, CHN)
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 12  号： 3  ページ： 578-582  発行年： 2010年01月21日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強磁性(FM)/DNA/FMデバイスにおける量子スピン依存の輸送を,格子Green関数法およびLandauer-Buettiker理論に基づいて理論的に調べた。このデバイスの磁気抵抗(MR)に対する横電場の影響を調べた。横電場の方向あるいは強さのどちらもがデバイスのMRに変化を及ぼしうると予測した。FM/DNA/FMデバイスのMRを横電場で変調することで可能な応用について示唆した。

シソーラス用語： *DNA【核酸】 ,  *分子素子 ,  *磁気抵抗効果 ,  強磁性体 ,  スピン ,  Green関数 ,  *磁気抵抗 ,  *電場効果
準シソーラス用語： *分子デバイス ,  *トンネル磁気抵抗 ,  量子スピン ,  Green関数法

分類 (1件)： 物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： DNA ,  分子デバイス ,  電場変調 ,  トンネル磁気抵抗