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J-GLOBAL ID：201002224990794993   整理番号：10A0904130

酸化インジウムスズ薄膜の抵抗と熱電能の温度依存性

Temperature dependence of resistance and thermopower of thin indium tin oxide films

著者 (5件)： LIN Bo-tsung (Inst. of Physics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan) ,  CHEN Yi-fu (Inst. of Physics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan) ,  LIN Juhn-jong (Inst. of Physics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan) ,  LIN Juhn-jong (Dep. of Electrophysics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan) ,  WU Chih-yuan (Dep. of Physics, Fu Jen Catholic Univ., Hsinchuang 24205, Taiwan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 23  ページ： 6997-7001  発行年： 2010年09月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連のRFスパッタで作製されアニールされた酸化インジウムスズ薄膜の抵抗と熱電能を300Kから液体ヘリウム温度までの温度範囲で測定した。熱アニーリングは試料の無秩序のレベル(すなわち抵抗率)を変調するために行われた。測定された抵抗は150K~300Kの間でBloch-Grueneisen則によってよく記述され,これらの薄膜が金属的であることを示唆している。より低い温度では,温度の低下と共に抵抗の上昇が観測され,それは2次元電子-電子相互作用と弱局在化効果で定量的に記述できた。すべての試料で熱電能は負で,全測定温度範囲で直線的温度依存性をはっきりと示した。このことはITO薄膜での自由電子的伝導特性をつよく示している。結果として,各薄膜のキャリア密度を高い信頼性で決定できた。この研究は15nmまでの厚さのITO薄膜がすでに高い金属的伝導性を有し得ることを実証するものである。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *RFスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *e-e相互作用 ,  *Anderson局在 ,  熱起電力 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  金属-半導体転移 ,  *電気伝導率
準シソーラス用語： *弱局在

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化インジウムスズ ,  薄膜 ,  熱電能 ,  温度依存性