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J-GLOBAL ID：201002225120347734   整理番号：10A0686322

抵抗ランダムアクセスメモリ専用の銅テトラシアノキノジメタンの電気的ナノキャラクタリゼイション

Electrical nanocharacterization of copper tetracyanoquinodimethane layers dedicated to resistive random access memories

著者 (4件)： DELERUYELLE Damien (IM2NP, Aix-Marseille Univ., UMR CNRS 6242, 38 rue Joliot Curie, 13451 Marseille Cedex 20, FRA) ,  MULLER Christophe (IM2NP, Aix-Marseille Univ., UMR CNRS 6242, 38 rue Joliot Curie, 13451 Marseille Cedex 20, FRA) ,  AMOUROUX Julien (IM2NP, Aix-Marseille Univ., UMR CNRS 6242, 38 rue Joliot Curie, 13451 Marseille Cedex 20, FRA) ,  MUELLER Robert (Interuniversity MicroElectronics Center v.z.w. (IMEC), Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 26  ページ： 263504  発行年： 2010年06月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅テトラシアノキノジメタン(CuTCNQ)/HfO₂/Ptスタックの局所電気的特性を,導電性原子間力顕微鏡(AFM)測定により研究した。局所I-V及びI-t分光は,AFMチップ下ナノメータスケールでの繰り返し可能及び可逆的バイポーラ電気スイッチング(SET及びRESET動作)を証明した。実験結果は,抵抗スイッチングが,AFMチップへCuTCNQを橋渡しする導電性フィラメントの生成/溶解によることを示唆した。ナノギャップ内でのCu⁺イオンのマイグレーション及び導電性フィラメントの成長に基づいた物理モデルは,ナノスケールで実現されたSET動作中における実験結果と非常に良く一致した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： RAM【メモリ】 ,  *電気抵抗 ,  *銅錯体 ,  酸化ハフニウム ,  白金 ,  *原子間力顕微鏡 ,  積層構造 ,  電流電圧特性 ,  電流変動 ,  *スイッチング ,  フィラメント ,  銅 ,  イオン ,  マイグレーション【化学物質】 ,  脂環式化合物 ,  ニトリル ,  ジエン ,  キノイド化合物
準シソーラス用語： *ReRAM ,  抵抗スイッチング ,  導電性フィラメント

分類 (4件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (1件)： テトラシアノキノジメタン

タイトルに関連する用語 (4件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  銅 ,  テトラシアノキノジメタン ,  キャラクタリゼイション