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J-GLOBAL ID：201002225132985698   整理番号：10A1002194

a-Si:H薄膜の陽子誘起光伝導率増加と熱安定性

Proton-induced photoconductivity increment and the thermal stability of a-Si:H thin film

著者 (6件)： SATO Shin-ichiro ,  SAI Hitoshi ,  OHSHIMA Takeshi ,  IMAIZUMI Mitsuru ,  SHIMAZAKI Kazunori ,  KONDO Michio
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 356  号： 41-42  ページ： 2114-2119  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 素子品質a-Si:H薄膜の陽子照射による光伝導率(PC)の変化を調べた。0.10,1.0と10MeV陽子照射で誘起されたPC変化をその場測定した。全ての試料で,照射によりPCが初め増加した。しかし,照射が続くと,照射線量の増加とともにPCが劇的に減少した。この研究で得られた結果は,PCの増加が変位損傷の集積によるものでないことを示唆した。暗伝導率もPC増加と同様に劇的に増加を示したが,光感度はPC増加のピーク点で最小値を示した。10MeV陽子照射の前後でのa-Si:HにおけるPCの温度依存性は,このような陽子誘起PC増加が2成分からなり,一つは熱安定,他は準安定な成分であることを示した。熱的準安定成分は温度域300~340Kで消失した。一方,照射誘起欠陥は340K以上でアニールされた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,  *ドーピング ,  水素 ,  *ケイ素 ,  *光伝導 ,  *イオン照射 ,  陽子 ,  照射線量 ,  *照射損傷 ,  熱処理 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： 暗伝導率

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  薄膜 ,  陽子 ,  誘起 ,  光伝導率 ,  熱安定性