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J-GLOBAL ID：201002225409502215   整理番号：10A1615528

金属酸化物系抵抗型ランダムアクセスメモリ(ReRAM)

Resistive Random Access Memory (ReRAM) Based on Metal Oxides

著者 (2件)： AKINAGA Hiroyuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SHIMA Hisashi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 98  号： 12  ページ： 2237-2251  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチングは,抵抗型ランダムアクセスメモリ(ReRAM)応用に不可欠な物理効果であり,40年以上研究されてきた。電子と電気化学効果が不揮発性機能に重要な役割をする,最も有望な新規不揮発性メモリの一つである,ReRAM技術の最近の進歩について概観した。また,酸化物に関係した課題,金属酸化物系ユニポーラとバイポーラReRAMの動作機構とその実用化のための課題について述べた。抵抗スイッチングに関する基礎研究は30年間以上実用化を可能にできなかったが,過去10年でReRAM応用に関するR&Dに基づく研究数が増加した。これらの影響により,論理用とメモリ用半導体技術間の相乗効果を生じた。これらの研究により,高密度データ保存応用用とともに高性能組込みメモリと保存型メモリ応用用への使用を可能にする,ReRAM技術の使用を再設定することが予想される。基礎材料研究により,電気化学効果が,ReRAMの動作に重要な役割をすることを示した。そのリセット動作が,固体酸化物燃料電池と酸化物系太陽電池において生じる基礎過程と密接な関係があることを容易に識別できた。機能酸化物エレクトロニクス分野では,学際的研究が,非常に重要になり,Moore則を越えた研究分野の開発を牽引すると考える。

シソーラス用語： *金属酸化物 ,  *RAM【メモリ】 ,  *電気抵抗 ,  MIM構造 ,  *不揮発性メモリ ,  *スイッチング ,  酸化還元反応 ,  記憶素子 ,  電流電圧特性 ,  積層構造
準シソーラス用語： ReRAM ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 金属酸化物 ,  ランダムアクセスメモリ ,  ReRAM