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J-GLOBAL ID：201002225451813409   整理番号：10A0488297

4H-SiC(0001)の炭素表面に成長した数層のエピタキシャルグラフェンの尾根のAFM研究

AFM study of ridges in few-layer epitaxial graphene grown on the carbon-face of 4H-SiC(0001)

著者 (9件)： PRAKASH Gyan (Dep. of Physics, Purdue Univ., 525 Northwestern Avenue, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  PRAKASH Gyan (Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., 1205 W State Street, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  CAPANO Michael A. (Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., 1205 W State Street, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  CAPANO Michael A. (School Electrical Engineering, Purdue Univ., 465 Northwestern Avenue, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  BOLEN Michael L. (Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., 1205 W State Street, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  BOLEN Michael L. (School Electrical Engineering, Purdue Univ., 465 Northwestern Avenue, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  ZEMLYANOV Dmitry (Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., 1205 W State Street, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  REIFENBERGER Ronald G. (Dep. of Physics, Purdue Univ., 525 Northwestern Avenue, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  REIFENBERGER Ronald G. (Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., 1205 W State Street, West Lafayette, IN 47907, USA)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 48  号： 9  ページ： 2383-2393  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空条件下に温度T>1350°Cで10min加熱した4H-SiC(0001)基板上に生成するグラフェン被覆層の特性化を行った。C-表面のX線光電子分光分析は,成長温度に従って増える厚さの黒鉛性炭素の存在を明らかにする。平行原子間力顕微鏡(AFM)研究から,数層のグラフェン(FLG)の原子論的に平坦なタイル状の面を結合した高い湾曲の尾根の網状ネットワークがあることがわかる。FLG上に発達するネットワーク像を描くことによって,弾性エネルギーが集中する領域を図化することが可能である。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラファイト ,  超薄膜 ,  蒸着膜 ,  炭化ケイ素 ,  ファセット ,  ナノ構造 ,  原子構造 ,  ネットワーク構造 ,  *グラフェン

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 4H-SiC ,  炭素 ,  成長 ,  エピタキシャルグラフェン ,  尾根 ,  AFM ,  研究