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J-GLOBAL ID：201002225473983359   整理番号：10A0657491

マグネトロンスパッタリング法によるNi-Mn-Ga高温形状記憶合金薄膜の成長

Growth of Ni-Mn-Ga high-temperature shape memory alloy thin films by magnetron sputtering technique

著者 (7件)： LIU C. (School of Electronics Sci., Northeast Petroleum Univ., Daqing 163318, CHN) ,  MU H.w. (School of Electronics Sci., Northeast Petroleum Univ., Daqing 163318, CHN) ,  GAO L.x. (HLJ Province Key Lab of Senior-education for Electronic Engineering, Heilongjiang Univ., Harbin 150080, CHN) ,  MA W.j. (Coll. of Sci., Northeast Dianli Univ., Jilin 132012, CHN) ,  AN X. (HLJ Province Key Lab of Senior-education for Electronic Engineering, Heilongjiang Univ., Harbin 150080, CHN) ,  GAO Z.y. (School of Materials Sci. and Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 15000, CHN) ,  CAI W. (School of Materials Sci. and Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 15000, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 22  ページ： 6655-6659  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いろいろな基板負バイアス電圧下でマグネトロンスパッタリング法を用いて,Ni-Mn-Ga薄膜を作製した。Ni-Mn-Ga薄膜の組成と表面形態に及ぼす基板負バイアス電圧の効果を,エネルギー分散型X線スペクトルとAFMによりそれぞれ系統的に調べた。結果は,薄膜のNi含量は,基板負バイアス電圧の増加とともに大きくなり,一方Mn含量とGa含量は基板負バイアス電圧の増加とともに減少することを示す。この薄膜の表面粗さと平均粒子サイズは基板負バイアス電圧の増加とともに著しく減少する。膜組成に及ぼすバイアス電圧の影響に基づいて,30Vの基板負バイアス電圧でNi₅₆Mn₂₇Ga₁₇薄膜が得られる。さらなる研究は,この膜のマルテンサイト変態開始温度は室温よりずっと高い584Kまでであることを示し,膜は室温で変調されていない正方晶マルテンサイト構造を持つことを示す。TEM観測は,薄膜のミクロ構造が内部的に(111)タイプの双晶化した部分構造を示すことを明らかにする。Ni₅₆Mn₂₇Ga₁₇高温形状記憶合金の作製はミクロアクチュエータの開発に寄与する。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  *形状記憶合金 ,  金属薄膜 ,  バイアス ,  *ニッケル合金 ,  マンガン含有合金 ,  ガリウム含有合金 ,  *マルテンサイト変態

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (4件)： マグネトロンスパッタリング ,  高温形状記憶合金 ,  薄膜 ,  成長