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J-GLOBAL ID：201002225672055509   整理番号：10A0092708

フレキシブルセンサアレイ用の有機不揮発性メモリトランジスタ

Organic Nonvolatile Memory Transistors for Flexible Sensor Arrays

著者 (9件)： SEKITANI Tsuyoshi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YOKOTA Tomoyuki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ZSCHIESCHANG Ute (Max Planck Inst. Solid State Res., Stuttgart, DEU) ,  KLAUK Hagen (Max Planck Inst. Solid State Res., Stuttgart, DEU) ,  BAUER Siegfried (Johannes Kepler Univ. Linz, Linz, AUT) ,  TAKEUCHI Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAMIYA Makoto (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAKURAI Takayasu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SOMEYA Takao (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Science  (Science)
巻： 326  号： 5959  ページ： 1516-1519  発行年： 2009年12月11日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プログラム・消去電圧の小さい有機フローティングゲートトランジスタを開発し,フレキシブルプラスチック基板上に不揮発性メモリを実現した。フローティングゲートの埋め込みに,プラズマAlO_x薄膜と自己組織化単分子膜から成る,低温形成のハイブリッド誘電体膜を利用した。誘電体膜が薄い(計6nm)ので,非常に低いプログラム・消去電圧(6V以下)で大きな可逆的閾値電圧シフトの生成が可能になった。耐久性は1000サイクルを超え,シリコン系フローティングゲートトランジスタに対し二桁以内の値になった。さらに,このトランジスタのフレキシブルアレイを感圧性ゴムシートと一体化し,大面積のセンサマトリックスを実現した。このセンサは,ゴムシートに印加された圧力の空間分布を検知し二次元画像として記憶できる。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  フローティングゲート ,  フレキシブル基板 ,  *センサアレイ ,  記憶素子 ,  *薄膜トランジスタ ,  電圧 ,  誘電体薄膜 ,  圧力センサ ,  耐久性 ,  保持時間 ,  記憶装置 ,  マイクロプローブ ,  出版
準シソーラス用語： メモリ ,  *有機薄膜トランジスタ ,  閾値電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V)

タイトルに関連する用語 (3件)： センサアレイ ,  不揮発性メモリ ,  トランジスタ