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J-GLOBAL ID：201002225751839434   整理番号：10A1330466

フッ素化HfO₂/SiONゲートスタックnMOSFETの電荷の捕獲および放出挙動

Charge Trapping and Detrapping Behavior of Fluorinated HfO₂/SiON Gate Stacked nMOSFET

著者 (2件)： CHEN Yung-Yu (Lunghwa Univ. Sci. and Technol., Taoyuan, TWN) ,  HSIEH Chih-Ren (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 11  ページ： 1178-1180  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素化ケイ酸塩ガラスパッシベーション層を用いたフッ素化HfO₂/SiONゲートスタックについて,電荷の捕獲と放出の特性を調査した。実験の結果と考察によれば,ゲートスタックへのフッ素の取り込みにより,バルクおよび界面におけるストレス誘起トラップ生成は抑制される。しかしフッ素取り込みなしのデバイスに比べて捕獲準位が深いため,捕獲された電荷は放出されにくい。よって,将来デバイスへのフッ素の適用については信頼性上さらに検討が必要である。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *酸化ハフニウム ,  *フッ素 ,  電荷 ,  捕獲 ,  ドーピング ,  粒子放出 ,  状態密度 ,  欠陥準位
準シソーラス用語： キャリア放出 ,  電荷捕獲

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： フッ素化 ,  HfO2 ,  SiON ,  ゲートスタック ,  nMOSFET ,  電荷 ,  捕獲 ,  放出 ,  挙動