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J-GLOBAL ID：201002225889411052   整理番号：10A0001580

溶液成長接点による半導体ナノ結晶コンダクタンス

Enhanced Semiconductor Nanocrystal Conductance via Solution Grown Contacts

著者 (7件)： SHELDON Matthew T. (Univ. California, California) ,  SHELDON Matthew T. (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  TRUDEAU Paul-Emile (Univ. California, California) ,  MOKARI Taleb (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  WANG Lin-Wang (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  ALIVISATOS A. Paul (Univ. California, California) ,  ALIVISATOS A. Paul (Lawrence Berkeley National Lab., California)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 9  号： 11  ページ： 3676-3682  発行年： 2009年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究において,筆者らは,CdSeナノ結晶表面及び金属-半導体ハイブリッド界面に対する界面活性剤の影響について直接的に測定した。その結果,CdSeナノロッド先端のAuチップの直接的な溶液成長によってナノロッドが電気的に接触する場合,ナノロッドのコンダクタンスが100000倍上昇することが分かった。アンサンブル紫外・可視及びX線光電子分光法では,この増強が,ナノロッドの合金化によるものでないことを示した。Au接点の接合における低温トンネリング及び高温(250~400K)熱電子放出は,対照と比較して,伝導に対し75%低い界面障壁を示した。

シソーラス用語： *溶液成長 ,  *電気接点 ,  *コンダクタンス ,  *ナノ結晶 ,  セレン化カドミウム ,  界面活性剤 ,  合金化 ,  ナノロッド ,  熱電子放出 ,  界面 ,  固固界面 ,  改変
準シソーラス用語： CdSe

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 溶液成長 ,  半導体ナノ結晶 ,  コンダクタンス