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J-GLOBAL ID：201002225949322100   整理番号：10A0988289

リソグラフィ用ArFエキシマレーザーの現状と将来

Development of ArF Excimer Laser for Lithography

著者 (6件)： 溝口計 (ギガフォトン) ,  川筋康文 (ギガフォトン) ,  田中智史 (ギガフォトン) ,  對馬弘朗 (ギガフォトン) ,  松永隆 (ギガフォトン) ,  藤本准一 (ギガフォトン)
資料名： レーザー研究  (レーザー学会誌)
巻： 38  号： 9  ページ： 654-659  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： X0335A  ISSN： 0387-0200  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： リソグラフィに応用されているArFエキシマレーザについて著者所属企業で開発した製品を中心に解説する。半導体の微細化のロードマップに触れ,解像力を高めるための液浸技術,液浸露光装置の進化と光源性能への高まる要求,更に解像力を高めるための多重パターニング技術について説明する。次いで,同社の開発したインジェクションロック(I/T)ArFレーザについて以下の事項を説明する:狭帯域・高出力の相反する要求を両立させたI/T方式レーザの実用化,極めて早い立ち上がりの励起が必要なエキシマレーザを効率良く励起するために採用している放電技術,レーザの運転周波数を向上させる際に発生する強い衝撃波による放電の揺らぎを最小化する設計手法,レジスト上に形成したパターンのバラツキを最小化するための光源スペクトルのアクティブ制御,装置のダウンタイムコスト,運転コストの低減。

シソーラス用語： *エキシマレーザ ,  *フォトリソグラフィー ,  多重露光 ,  放電 ,  安定化 ,  アクティブ制御 ,  帯域幅
準シソーラス用語： *ArFエキシマレーザ ,  バンド幅 ,  *液浸リソグラフィー ,  二重露光

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (10件)：

• SHIMBORI, M. Ultra-narrowed injection lock laser light source for higher NA ArF immersion lithography tool. Optical Microlithography XX, 2007. 2007, 6520-6575
• 岡崎信次. 先端リソグラフィの技術動向. クリーンテクノロジー. 2009, 19, 1
• 溝口計. レーザー研究. 2001, 29, 633
• WAKABAYASHI, O. Optical Microlithography XVII, 2004. 2004, 5377-187
• MIZOGUCHI, H. Optical Microlithography XVIII, 2005. 2005, 5754-5774

タイトルに関連する用語 (4件)： リソグラフィ ,  ArFエキシマレーザー ,  現状 ,  将来