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J-GLOBAL ID：201002226153841803   整理番号：10A0392661

金属-強誘電体(BiFe_0.95Mn_0.05O₃)-絶縁体(Bi₂Ti₂O₇)-ケイ素キャパシタに関する強誘電効果および電荷注入効果

The Ferroelectric and Charge Injection Effects of Metal-Ferroelectric (BiFe_0.95Mn_0.05O₃)-Insulator (Bi₂Ti₂O₇)-Silicon Capacitors

著者 (5件)： YANG C. H. (Univ. Jinan, Jinan, CHN) ,  HU G. D. (Univ. Jinan, Jinan, CHN) ,  WU W. B. (Univ. Jinan, Jinan, CHN) ,  WANG J. C. (Univ. Jinan, Jinan, CHN) ,  WANG X. (Univ. Jinan, Jinan, CHN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13  号： 5  ページ： G43-G46  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BiFe_0.95Mn_0.05O₃(BFMO)強誘電膜およびBi₂Ti₂O₇(BTO)絶縁体を使用した金属-強誘電体-絶縁体-ケイ素(MFIS)キャパシタを作製した。本研究では種々の厚さのBTO絶縁体上に堆積したBFMO強誘電膜の電気的性質を調べた。その結果,報告されていたBiFeO₃をベースとしたMFIS構造に比べて,Au/BFMO(300nm)/BTO(50nm)/Siが比較的良好な記憶特性を有することが分かった。とくに,BFMO/BTO(50nm)については,印加電圧±7Vにおいて最大記憶の窓が4.53Vであった。BFMO/BTO(30nm)およびBFMO/BTO(70nm)に比べて,BFMO/BTO(50nm)は比較的長い保持時間を示した。

シソーラス用語： *金 ,  *ビスマス化合物 ,  *鉄化合物 ,  *マンガン化合物 ,  *金属酸化物 ,  *チタン酸塩 ,  *ケイ素 ,  *コンデンサ ,  強誘電体 ,  絶縁材料 ,  誘電体薄膜 ,  キャリア注入 ,  記憶特性 ,  記憶 ,  多層構造 ,  保持時間 ,  堆積 ,  静電容量 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  X線回折 ,  記憶素子 ,  *不揮発性メモリ ,  絶縁体
準シソーラス用語： MFIS構造 ,  *キャパシタ ,  *チタン酸ビスマス ,  印加電圧

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  LCR部品  (NA05030D) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  絶縁体 ,  ケイ素 ,  キャパシタ ,  電荷注入