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J-GLOBAL ID：201002226194298634   整理番号：10A0713297

有機薄膜メモリトランジスタのための分子電荷貯蔵誘電体層の概念

Concept of a Molecular Charge Storage Dielectric Layer for Organic Thin-Film Memory Transistors

著者 (10件)： BURKHARDT Martin (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  JEDAA Abdesselam (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  NOVAK Michael (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  EBEL Alexander (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  VOIETCHOVSKY Kislon (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  VOIETCHOVSKY Kislon (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  STELLACCI Francesco (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  STELLACCI Francesco (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  HIRSCH Andreas (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  HALIK Marcus (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 23  ページ： 2525-2528  発行年： 2010年06月18日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-オクタデシルホスホン酸とω-フラーレンC₆₀修飾オクタデシルホスホン酸との混合物(モル比=100:0,99:1,95:5および0:100)の自己集合単分子層をゲート誘電体,α,α′-ジヘキシルセスキチオフェンをゲート半導体とするフローティングゲート薄膜トランジスタを作製し,電子管力顕微鏡法,電気移動特性測定法およびメモリ特性試験法によってキャラクタリゼーションした。フラーレンC₆₀基の濃度によって顕著に変化する電気移動しきい値およびヒステリシスが観測され,メモリ開発への可能性が示唆された。最高加工温度60°C,書込/読取電圧±2V,最長電荷保持時間約6時間という有望な結果を得た。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *フローティングゲート ,  オリゴマ ,  ポリチオフェン ,  フラーレン ,  自己組織系 ,  単分子層 ,  酸化膜 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *有機薄膜トランジスタ ,  オリゴチオフェン ,  フラーレン類 ,  自己集合単分子層 ,  ゲート誘電体

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  有機りん化合物  (CF08040N) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： オクタデシルホスホン酸

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機薄膜 ,  トランジスタ ,  分子 ,  電荷貯蔵 ,  誘電体 ,  概念