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J-GLOBAL ID：201002226204719900   整理番号：10A0854117

超低電力センシングプラットフォームのための回路設計の進展

Circuit design advances for ultra-low power sensing platforms

著者 (5件)： WIECKOWSKI Michael (Univ. Michigan, MI) ,  DRESLINSKI Ronald G. (Univ. Michigan, MI) ,  MUDGE Trevor (Univ. Michigan, MI) ,  BLAAUW David (Univ. Michigan, MI) ,  SYLVESTER Dennis (Univ. Michigan, MI)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7679  ページ： 76790W.1-76790W.7  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいアプリケーション分野を開く,超低電力センシングプラットフォームのための回路設計の進展について調べた。低電力センシングプラットフォームに対する実行可能な設計空間としてのNTC(近閾値計算)の開発について論じ,異なる供給電圧操作領域におけるエネルギーおよび遅延を示した。センシングプラットフォームのためのNTCの設計を行い,センサプラットフォームアプリケーションに適したプロセッサの性能,MOSFETドライブ電流は閾値電圧,供給,温度への依存性が指数関数に近くなるため,NTC設計では性能不確実性が劇的に増大するため,その変動に対する対処方法について議論を行った。その中で,ゲート遅延変動に対する電圧スケーリングのインパクト,SRAM故障率に対する電圧スケーリングのインパクト,代替案のSRAMセル,などを示すとともに,電源供給についても議論を行った。それにより,NTCの採用に対する障壁となる事項について調べ,回路設計におけるこれら障害物の克服方法を提案した。

シソーラス用語： *回路設計 ,  *計測システム ,  センサ ,  消費電力 ,  計算 ,  閾値 ,  *MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  スケーリング【計数】 ,  SRAM ,  省エネルギー
準シソーラス用語： エネルギー効率性 ,  センシングプラットフォーム ,  近閾値計算 ,  低消費電力 ,  電圧スケーリング

分類 (3件)： CAD,CAM  (JE10000A) ,  計測機器一般  (AD02000X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電力 ,  センシング ,  プラットフォーム ,  回路設計 ,  進展