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J-GLOBAL ID：201002226506778647   整理番号：10A0093789

単一壁カーボンナノチューブペーパにおける放射線の影響

Radiation effects in single-walled carbon nanotube papers

著者 (6件)： CRESS Cory D. (Electronics Sci. and Technol. Div., U.S. Naval Res. Lab., Washington, DC 20375, USA) ,  SCHAUERMAN Christopher M. (NanoPower Res. Laboratories, Rochester Inst. of Technol., Rochester, New York 14623, USA) ,  LANDI Brian J. (NanoPower Res. Laboratories, Rochester Inst. of Technol., Rochester, New York 14623, USA) ,  MESSENGER Scott R. (Electronics Sci. and Technol. Div., U.S. Naval Res. Lab., Washington, DC 20375, USA) ,  RAFFAELLE Ryne P. (NanoPower Res. Laboratories, Rochester Inst. of Technol., Rochester, New York 14623, USA) ,  WALTERS Robert J. (Electronics Sci. and Technol. Div., U.S. Naval Res. Lab., Washington, DC 20375, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 1  ページ： 014316  発行年： 2010年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一壁カーボンナノチューブ(SWCNT)ペーパの温度依存伝導度に対する電離放射線の影響を高真空雰囲気内でその場観察した。4.2MeVのアルファ粒子を照射するとSWCNTペーパの伝導度は定常的に低減した。フルエンス3×10¹²/cm²のアルファ粒子照射後,室温の伝導度は25%減少した。放射線誘起温度依存伝導度の変化は,トンネル様伝導の実効活性化に対する障壁の放射線損傷を原因とした増加と,それに伴った個々のSWCNT内電荷キャリアの波動関数の局在性の増加を示している。SWCNTペーパ内部の空間的な欠陥生成をモデル化し,一様なはじき出し損傷ドースがペーパに付与されたことを確認した。この結果から,損傷係数(つまり伝導度のフルエンスに対する微分変化)をアルファ粒子,カーボンイオンおよびプロトンについて求め,各入射粒子の非イオン化エネルギー損失(NIEL)と比較した。その結果,これらのパラメータはNIELとは非線形の関係にあり,多くのバルク半導体や超伝導体に見られる典型的な線形の応答とは著しく異なっていた。このことは,SWCNTペーパでは放射線損傷が局在しており,その影響が分散した損傷よりもはるかに大きいことを意味する。SWCNTペーパはSWCNTの分布のコンボリューションである特性を有するバルク物質としてほぼ振舞うが,照射に対する応答は,2次元内に閉じ込められたナノ構造体の特定の1次元方向電導性の劣化によってほとんど支配されている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  閉込め ,  二次元 ,  *電気伝導率 ,  ポテンシャル障壁 ,  局在状態 ,  はじき出し損傷 ,  陽子 ,  α線照射 ,  フルエンス ,  電離放射線 ,  *照射損傷
準シソーラス用語： トンネルバリア ,  *単一壁カーボンナノチューブ ,  非イオン化放射線

分類 (2件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単一壁カーボンナノチューブ ,  ペーパ ,  放射線