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J-GLOBAL ID：201002226854147383   整理番号：10A0772316

III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積

III-V/Ge CMOS technologies and heterogeneous integrations on Si platform

著者 (2件)： TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 110(SDM2010 49-123)  ページ： 119-124  発行年： 2010年06月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高移動度のIII-V族化合物半導体やGeをチャネルとするCMOSが,将来の高駆動力・低消費電力LSIのためのデバイス構造として,現在注目を集めている。更に,これらの材料をSi基板上に集積化する異種集積技術は,このような高性能のCMOSロジックに留まらず,種々の機能デバイスを同一チップに集積化するような新しいSoCを実現するためのキー技術である。本論文では,Siプラットフォーム上のIII-V/Ge CMOSの課題,および課題を解決する上で現在取り組んでいる技術の現状を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  ケイ素 ,  *化合物半導体 ,  ゲルマニウム ,  半導体 ,  金属酸化物 ,  素子構造 ,  *LSI【IC】 ,  超LSI ,  半導体チップ ,  CMOS
準シソーラス用語： SOC ,  デバイス構造

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  非晶質半導体の構造  (BK04030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  CMOS技術 ,  Si ,  プラットフォーム ,  異種材料 ,  集積