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J-GLOBAL ID：201002226883627700   整理番号：10A0108698

NチャネルMOSFETへの48MeV Li³⁺イオン,100MeV F⁸⁺イオン及びCo-60γ線照射効果の比較

A comparison of 48MeV Li³⁺ ion, 100MeV F⁸⁺ ion and Co-60 gamma irradiation effect on N-channel MOSFETs

著者 (7件)： PUSHPA N. (Dep. of Physics, Univ. of Mysore, Manasagangotri, Mysore 570 006, IND) ,  PRAVEEN K.c. (Dep. of Physics, Univ. of Mysore, Manasagangotri, Mysore 570 006, IND) ,  GNANA PRAKASH A.p. (Dep. of Physics, Univ. of Mysore, Manasagangotri, Mysore 570 006, IND) ,  PRABHAKARA RAO Y.p. (Bharath Electronics Ltd., Jalahalli, Bangalore 580 097, IND) ,  TRIPATI Ambuj (Inter Univ. Accelerator Center, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110 067, IND) ,  GOVINDARAJ G. (Dep. of Physics, Pondicherry Univ., Puducherry 605 014, IND) ,  REVANNASIDDAIAH D. (Dep. of Physics, Univ. of Mysore, Manasagangotri, Mysore 570 006, IND)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 613  号： 2  ページ： 280-289  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *捕獲中心 ,  *重イオン照射 ,  γ線照射 ,  10-100MeV ,  *MOSFET ,  照射損傷 ,  線エネルギー付与 ,  キャリア移動度 ,  相互コンダクタンス ,  電流電圧特性 ,  多価イオン ,  衝突型加速器
準シソーラス用語： LET ,  線量依存性 ,  LHC【加速器】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： nチャネルMOSFET ,  イオン ,  CO ,  γ線 ,  照射効果