文献

J-GLOBAL ID：201002226888594770   整理番号：10A1528636

個別半導体単層カーボンナノチューブ中の欠陥 Raman分光とその場Raman分光電気化学研究

Defects in Individual Semiconducting Single Wall Carbon Nanotubes: Raman Spectroscopic and in Situ Raman Spectroelectrochemical Study

著者 (8件)： KALBAC Martin (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  KALBAC Martin (J. Heyrovsky Inst. of Physical Chemistry, Prague, CZE) ,  HSIEH Ya-Ping (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  FARHAT Hootan (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  KAVAN Ladislav (J. Heyrovsky Inst. of Physical Chemistry, Prague, CZE) ,  HOFMANN Mario (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  KONG Jing (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  DRESSELHAUS Mildred S. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 11  ページ： 4619-4626  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ(SWCNT)中の欠陥は興味深い新特性を表わす。例えば,欠陥はナノチューブ上の反応中心であり,ナノチューブ修飾のサイトとしてまたは付着種の検出を改良するために使用することができる。従って,SWCNT中の欠陥の役割をより深く理解することは,欠陥を制御または生成することによってCNTベースの新電子素子の特性を設計する道を開く。ここでは,個別半導体SWCNTのRamanスペクトルにおける欠陥の役割を詳細に研究した。欠陥の形成は,RamanスペクトルのDバンドの発現として,そして他のRaman特徴の変化によって現れる。結果は,欠陥チューブがDモードを除いてRaman特徴の強度にあまり寄与しないことを明確に示した。

シソーラス用語： *半導体 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *欠陥 ,  *Raman分光法 ,  その場観察 ,  分光電気化学 ,  化学修飾 ,  検出 ,  固体素子 ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： 電子素子

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル一般  (BM08061U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層カーボンナノチューブ ,  欠陥 ,  Raman分光 ,  電気化学 ,  研究