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J-GLOBAL ID：201002226909370117   整理番号：10A1539481

InAs/GaAs量子ドットレーザ構造中の多体効果

Many-body effects in InAs/GaAs quantum dot laser structures

著者 (4件)： O’DRISCOLL I. (Cardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff Univ., Queens Buildings, Cardiff CF24 3AA, GBR) ,  HUTCHINGS M. (Cardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff Univ., Queens Buildings, Cardiff CF24 3AA, GBR) ,  SMOWTON P. M. (Cardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff Univ., Queens Buildings, Cardiff CF24 3AA, GBR) ,  BLOOD P. (Cardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff Univ., Queens Buildings, Cardiff CF24 3AA, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 14  ページ： 141102  発行年： 2010年10月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaAs量子ドットレーザ構造の,吸収ピークに相対した利得ピークエネルギーを注入の関数として測定した。不均一分布における状態充填の影響を排除してドット中のキャリア密度を推定する計算を用いた。ドットあたり約2.2電子のレーザ動作に典型的な注入レベルで,8meVまでの偏移を室温で同定し,多体効果に関連付けた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  *半導体レーザ ,  *効果 ,  *電子構造 ,  キャリア密度 ,  *エネルギー ,  *量子ドットレーザ
準シソーラス用語： *吸収エネルギー ,  *多体効果

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAs ,  GaAs ,  量子ドットレーザ ,  多体効果