文献

J-GLOBAL ID：201002226954803423   整理番号：10A0703859

低コスト太陽電池のための電着ZnOへのCuInS₂のスプレー生成

Spray deposition of CuInS₂ on electrodeposited ZnO for low-cost solar cells

著者 (4件)： VALDES M.h. (Div. Corrosion, INTEMA, Facultad de Ingenieria, Universidad Nacional de Mar del Plata, J. B. Justo 4302 B7608FDQ Mar ...) ,  BERRUET M. (Div. Corrosion, INTEMA, Facultad de Ingenieria, Universidad Nacional de Mar del Plata, J. B. Justo 4302 B7608FDQ Mar ...) ,  GOOSSENS A. (Optoelectronic Materials, Fac. of Applied Sciences, Delft Univ. of Technol., Julianalaan 136, 2628 BL Delft, NLD) ,  VAZQUEZ M. (Div. Corrosion, INTEMA, Facultad de Ingenieria, Universidad Nacional de Mar del Plata, J. B. Justo 4302 B7608FDQ Mar ...)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 204  号： 24  ページ： 3995-4000  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 組成,pHおよび浴温度を変化させた電着にて得た単層(緻密)および2重層(緻密+ポーラス)ZnO皮膜上に化学スプレー熱分解法によりCuInS₂(CIS)薄膜を蒸着する。1次サブストレートとして導電性ガラスを使用している。キャリヤーとしてN₂を用い300°CにてCIS皮膜を蒸着する。引続くCISスプレー中の溶解からZnO層を保護するため,スプレーによりTiO₂の緩衝層を組込んである。SEM,EDX,およびXRDを用いて形態,組成および厚さなどの関連性質を評価する。また,CISのバンドギャップ値を算定するためにUV-Vis解析を実施,1.42eVを得ている。Mott-Schottkyプロットからキャリア密度およびフラットバンド電圧(V_fb)を計算する。V_fb値はTiO₂,ZnOおよびCISに対しそれぞれ0.70,1.10および0.42Vである。暗部および照明下でのI-V曲線は太陽電池を得るために本材料が組み込み可能である事を証明している。単層および2重層ZnOで組立てた2つのデバイスのための暗反応は非常に類似しており,優れた整流比を持つダイオード挙動を示している。光電流および開回路の高い値が反映するように,照明下でのポーラスZnOの存在はセル性能を向上させる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *電着 ,  基板 ,  ガラス ,  *インジウム化合物 ,  *銅化合物 ,  *硫化物 ,  *熱分解 ,  薄膜 ,  酸化チタン ,  バッファ層 ,  多層膜 ,  バンドギャップ ,  キャリア密度 ,  暗反応 ,  *太陽電池 ,  微細構造 ,  原価低減
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  *スプレー熱分解 ,  電導性硝子 ,  *硫化インジウム銅 ,  二酸化チタン

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽電池 ,  電着 ,  ZnO ,  CuInS2 ,  スプレー