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J-GLOBAL ID：201002227001687180   整理番号：10A0432730

溶液処理可能なテルアントリレン-エチニレン半導体 TFT特性ならびにHOPGおよびAu(111)上のSTM研究

Solution processable ter-anthrylene-ethynylenes semiconductors: thin film transistor properties and STM study on HOPG and Au(111)

著者 (12件)： KEG Peisi (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  DELL’AQUILA Antonio (Polytechnic of Bari, ITA) ,  MARINELLI Francesco (Univ. Bari, ITA) ,  KAPITANCHUK Oleksiy L. (Bogolyubov Inst. Theoretical Physics, NAS of Ukraine, UKR) ,  FICHOU Denis (CEA-Saclay, FRA) ,  FICHOU Denis (Univ. Paris 6, FRA) ,  MASTRORILLI Piero (Polytechnic of Bari, ITA) ,  ROMANAZZI Giuseppe (Polytechnic of Bari, ITA) ,  SURANNA Gian Paolo (Polytechnic of Bari, ITA) ,  TORSI Luisa (Univ. Bari, ITA) ,  LAM Yeng Ming (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  MHAISALKAR Subodh G. (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 20  号： 12  ページ： 2448-2456  発行年： 2010年03月28日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 両末端がn-ブチル(A),n-オクチル(B),2-エチル-ヘキシル(C)官能化された9,10-テルアントリレン-エチニレン交互共重合体オリゴマを合成した。SiO₂/ケイ素基板上に溶液法により作製した薄膜に電極を蒸着して積層構造のOFETを作製した。C膜からのOFETがキャリア移動度1.1±0.1×10^-2cm²/Vs,オンオフ比10⁵で最も良い結果を与えた。固液界面の自己組織化を走査型トンネル顕微鏡により検討した。HOPG基板上でAは六方晶,B,Cはラメラ構造を生成した。金基板上ではいずれもラメラ構造が観測された。

シソーラス用語： *芳香族縮合炭化水素 ,  *ポリアリーレンエチニレン ,  交互共重合体 ,  オリゴマ ,  化学合成 ,  ウエハ【IC】 ,  酸化ケイ素 ,  溶液 ,  積層構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  固液界面 ,  自己組織化 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  ラメラ ,  置換基効果 ,  薄膜 ,  表面構造
準シソーラス用語： *アントラセン誘導体 ,  オンオフ比 ,  ケイ素基板 ,  *OFET

分類 (4件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (4件)： 9,9′-(9,10-アントラセンジイルビスエチニレン)ビス(10-ブチルアントラセン) ,  9,9′-(9,10-アントラセンジイルビスエチニレン)ビス(10-オクチルアントラセン) ,  9,9′-(9,10-アントラセンジイルビスエチニレン)ビス(10-デシルアントラセン) ,  9,9′-(9,10-アントラセンジイルビスエチニレン)ビス[10-(2-エチルヘキシル)アントラセン]

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液処理 ,  TFT ,  HOPG ,  Au ,  STM ,  研究