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J-GLOBAL ID：201002227216255108   整理番号：10A0704077

単結晶シリコンナノワイヤの成長密度の制御とパターン化

Controlling growth density and patterning of single crystalline silicon nanowires

著者 (5件)： CHANG Tung-hao (Dep. of Biomedical Engineering and Environmental Sciences, National Tsing Hua Univ., Hsinchu, 300, Taiwan) ,  CHANG Tung-hao (Dep. of Radiation Oncology, Changhua Christian Hospital, Changhua, 500, Taiwan) ,  CHANG Yu-cheng (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu, 300, Taiwan) ,  LIU Fu-ken (Dep. of Applied Chemistry, National Univ. of Kaohsiung, Kaohsiung, 811, Taiwan) ,  CHU Tieh-chi (Dep. of Biomedical Engineering and Environmental Sciences, National Tsing Hua Univ., Hsinchu, 300, Taiwan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 23  ページ： 7339-7343  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,蒸気-液体-固体成長(VLS)機構による単結晶シリコンナノワイヤ(NW)一次元成長のための触媒としての明瞭にパターン化した金ナノ粒子(NP)の使用について調べた。3-アミノプロピルトリメトキシシラン(APTMS)改質シリコン基板上の金NPの自己集積を通しての単一層金NPの作成について報告する。結果から,シリコン基板表面上の金NP密度の決定,および,後のシリコンNWの触媒成長において,金NPのスピンコーティング時間が重要な働きをすることが分かった。本研究における実験では,金NPのパターン化にフォトリソグラフィーを用い,それらをシリコンNW成長に対する触媒として扱った。パターン化したシリコンNW構造は容易に作成でき,その密度を制御できた。本作成方法は,単結晶シリコンNWを用いたナノデバイスやその特性のさらなる研究に役立つ。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ケイ素 ,  単結晶 ,  *ナノワイヤ ,  *制御 ,  *パターン形成 ,  結晶成長 ,  *密度 ,  VLS成長 ,  触媒 ,  ナノ粒子 ,  自己集合 ,  スピンコーティング ,  フォトリソグラフィー ,  固体素子
準シソーラス用語： 単結晶シリコン ,  *パターン化 ,  蒸気-液体-固体成長 ,  金ナノ粒子 ,  自己集積 ,  ナノデバイス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶シリコン ,  ナノワイヤ ,  成長 ,  密度 ,  パターン化