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J-GLOBAL ID：201002227364791558   整理番号：10A0924982

SiC SPDTスイッチMMIC上の広帯域高電力GaN

Wideband High Power GaN on SiC SPDT Switch MMICs

著者 (2件)： CAMPBELL Charles F. (TriQuint Semiconductor, TX) ,  DUMKA Deep C. (TriQuint Semiconductor, TX)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2010 Vol.1  ページ： 181-185  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体GaNをSiCプロセスで実現した高電力SPDTスイッチMMICを3つの周波数帯域で設計・試作した。回路設計をDC~6GHzとDC~12GHz,DC~18GHzの周波数帯域をカバーし,各帯域で入力電力許容が最適となるように行った。試作したMMICの測定結果として最大挿入損失が6,12,18GHzにおいて0.7dB,1.0dB,1.5dBを得た。また連続波による入力RF電力許容値はそれぞれ40W,15W,10Wであった。挿入損失と帯域幅,RF許容電力値は現状の技術と同等の性能である。

シソーラス用語： *スイッチ ,  *MMIC ,  広帯域
準シソーラス用語： GaN ,  GaN HEMT ,  *SiC HEMT ,  高電力 ,  挿入損失 ,  *単極双投スイッチ ,  *半導体スイッチ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  SPDTスイッチ ,  MMIC ,  広帯域 ,  高電力 ,  GaN