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J-GLOBAL ID：201002227427181887   整理番号：10A0577446

歪の影響も考慮した量子ドット太陽電池用候補材料の同定

Identification of candidate material systems for quantum dot solar cells including the effect of strain

著者 (3件)： DAHAL Som N. (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  BREMNER Stephen P. (Univ. Delaware, DE, USA) ,  HONSBERG Christiana B. (Arizona State Univ., AZ, USA)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 18  号： 4  ページ： 233-239  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中間帯域太陽電池(IBSC)は新しい高効率太陽電池として期待されている。自己組織化量子ドット(SAQD)を含むヘテロ構造はδ関数状の状態密度を持つために,IBSC実現のために最も適切な候補材料システムと見なされている。しかしSAQDを形成するために必要なエピタキシャル成長の際に格子不整合が生じて構造全体に歪が発生し,適切な物理的パラメータを持つ材料システムの選定が問題となる。本論文では,このような格子不整合による歪の影響も考慮に入れ,価電子バンドのオフセットが無視可能な材料の組合せを検討した。格子整合変成バッファ層に成長する材料,および格子不整合シュードモルフィックバッファ層に成長する材料の両ケースを考慮した。前者についてはInP_0.87Sb_0.13/Al_0.57In_0.43As(バリア)の組合せを選択した。後者についてはAl_0.5In_0.5As/InAs_0.41P_0.59を同定した。評価の結果,後者が望ましいものとした。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  量子ドット ,  バンド構造 ,  エピタクシー ,  格子不整合 ,  歪 ,  材料 ,  選択 ,  価電子バンド ,  オフセット
準シソーラス用語： *量子ドット太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 歪 ,  量子ドット太陽電池 ,  同定