文献

J-GLOBAL ID：201002227525012899   整理番号：10A0191164

PV EXPO 2010《太陽電池製造技術の最前線》n型Siによる高効率デバイスに期待 ウェーハスライス技術で競争激化

著者 (1件)： 北原亮
資料名： Electronic Journal  (Electronic Journal)
号： 191  ページ： 82-83  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： L5481A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 結晶Si太陽電池の原材料Poly-Siの値下がりにより,太陽電池産業の勢力図が変わりつつある。変換効率や長期信頼性などの点で具体的なコストメリットが示せなくなってきた。結晶Si型では,Siウエハのスライス技術の向上により,材料コストの大幅な削減が可能になりつつある。本稿では,n型Siで変換効率向上へ,米Silicon Genesis社が新たなスライス技術を提案,薄厚ウエハ対応のセル技術が必要なことについて述べた。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *生産技術 ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  *スライス ,  *原価低減
準シソーラス用語： Siウエハ ,  *コスト削減 ,  *製造技術

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： PV ,  太陽電池 ,  Si ,  高効率 ,  期待 ,  競争