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J-GLOBAL ID：201002227782020061   整理番号：10A0143137

P型のZnドープしたZn_xIn_1-xSb化合物の合成と熱電気特性

Synthesis and thermoelectric properties of p-type Zn-doped Zn_xIn_1-xSb compounds

著者 (3件)： SU XianLi (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  LI Han (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  TANG XinFeng (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 1  ページ： 015403,1-6  発行年： 2010年01月13日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のZn含有量を持つ,ZnドープしたZn_xIn_1-xSb化合物を,メルトからの低速成長で合成し,Zn含有量の構造及び熱電気特性への効果を調べた。全試料はP型伝導特性を示し,Zn_xIn_1-xSb中のZnの溶解限界は0.05に近いことが分かった。試料の室温キャリア濃度N_pはZn含有量の増加と共に増加し,室温キャリア移動度と熱伝導率はZn含有量の増加と共に減少した。ZnドープしたZn_xIn_1-xSbはパワー係数が高く,その最大値2.44×10^-3Wm^-1K^-2を,Zn_0.0075In_0.9925Sbについて460Kで得た。ZTの最大値0.27を,Zn_0.01In_0.99Sbについて700Kで得た。

シソーラス用語： 亜鉛化合物 ,  インジウム化合物 ,  アンチモン化合物 ,  *P型半導体 ,  亜鉛 ,  含有量 ,  *金属間化合物 ,  合成 ,  メルト ,  熱 ,  電気特性 ,  構造 ,  電気伝導 ,  溶解 ,  キャリア密度 ,  移動度 ,  熱伝導率 ,  ドーピング ,  仕事率 ,  係数
準シソーラス用語： パワー

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： Zn ,  ドープ ,  熱電気特性