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J-GLOBAL ID：201002227812783324   整理番号：10A0924911

SILC関係欠陥のエネルギー分解スピン依存トラップ支援トンネリングの検討

ENERGY RESOLVED SPIN DEPENDENT TRAP ASSISTED TUNNELING INVESTIGATION OF SILC RELATED DEFECTS

著者 (4件)： RYAN J.T. (Pennsylvania State Univ.) ,  LENAHAN P.M. (Pennsylvania State Univ.) ,  KRISHNAN A.T. (Texas Instruments) ,  KNSHNAN S. (Texas Instruments)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 1122-1125  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 応力誘起漏洩電流(SILC)の機構に関する多くの文献があるが,極薄MOS素子のSILCの原因である,欠陥の原子規模特性はまだ充分に把握されていない。応力誘起漏洩電流(SILC)ストレスを印加した,1.2nm等価酸化膜厚(EOT)シリコン酸窒化膜を用いたMOS素子に関与する原子規模欠陥を直接に観測することを可能にする,エネルギー分解スピン依存トンネリング(ER-SDT)方法を開発した。この非常に簡単な測定により,点欠陥構造とエネルギー準位を直接関係付けることを可能にした。極薄誘電膜の容量とシリコン空乏層の容量間の大きな相違を利用することにより,SILC関係欠陥の欠陥エネルギー準位分解能を得た。より複雑な構造,異なる半導体基板(例えばSiC)と誘電厚膜に,開発した方法を拡張可能である。また,この方法は,長時間スピン格子緩和時間を確実にできるほど充分低温で少なくとも原理的に利用できる磁気共鳴の簡単な高感度方法を与えるため,量子計算にも使用可能である。

シソーラス用語： *ESR【磁気共鳴】 ,  *漏れ電流 ,  *ゲート【半導体】 ,  *酸化膜 ,  *トンネル効果 ,  スピントラップ ,  膜厚 ,  *点欠陥 ,  スピン-格子緩和 ,  エネルギー準位 ,  超薄膜 ,  誘電体薄膜 ,  空乏層 ,  エネルギー分解能 ,  基板 ,  量子計算 ,  ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  *MOS集積回路
準シソーラス用語： 電子常磁性共鳴 ,  SILC ,  応力誘起漏れ電流

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： SILC ,  欠陥 ,  エネルギー ,  分解 ,  スピン ,  トラップ ,  支援 ,  トンネリング