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J-GLOBAL ID:201002227933453259   整理番号:10A1060740

ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETの低ドリフト及び小ヒステリシス特性

Low drift and small hysteresis characteristics of diamond electrolyte-solution-gate FET
著者 (2件):
資料名:
巻: 43  号: 37  ページ: 374020,1-8  発行年: 2010年09月22日 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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多結晶ダイヤモンドを用いて独自の構造を有する電解質溶液ゲートFET(SGFET)のドリフト及びヒステリシス特性を調べ,化学センサやバイオセンサとしての可能性を検証した。酸素及びアミン終端ダイヤモンド表面のpH感度はそれぞれ20mV/pHと49mV/pHであったが,水素終端表面では僅か7mV/pHであった。表面終端したSGFETはSi-イオン有感FETよりも電解質溶液中の安定性が高かった。アミン終端SGFETのヒステリシス幅は0.39mVであった。SGFETは高感度のバイオセンサの有望なプラットフォームになり得ることを示した。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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