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J-GLOBAL ID：201002228037140752   整理番号：10A0548392

半導体量子井戸中の光学的に発生した注入電流の微視的理論解析

Microscopic theoretical analysis of optically generated injection currents in semiconductor quantum wells

著者 (3件)： DUC Huynh Thanh (Univ. Paderborn, Paderborn, DEU) ,  FOERSTNER Jens (Univ. Paderborn, Paderborn, DEU) ,  MEIER Torsten (Univ. Paderborn, Paderborn, DEU)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7600  ページ： 76000S.1-76000S.9  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs量子井戸中の注入電流を記述する微視的理論を示した。14×14バンドk・p理論を用いて,異方性とスピン-軌道相互作用を含め,バンド構造を計算した。半導体Bloch方程式の数値解から過渡注入電流を求めた。量子井戸系の成長方向,入射ビームの伝搬と偏光方向に依存して,超短時間尺度で電荷及びスピン光電流を発生できる。励起条件への光電流の依存性を計算し論じた。

シソーラス用語： *量子井戸 ,  半導体 ,  *注入 ,  ヒ化ガリウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  異方性 ,  *摂動論 ,  スピン-軌道相互作用 ,  バンド構造 ,  Bloch方程式 ,  依存性 ,  光電流
準シソーラス用語： *電流注入 ,  *k・p理論 ,  偏光依存性

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半導体量子井戸 ,  光学 ,  注入 ,  微視的理論 ,  解析