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J-GLOBAL ID：201002228085585960   整理番号：10A0322248

AlGaN深紫外発光ダイオードの低温エレクトロルミネセンスクエンチング

Low-temperature electroluminescence quenching of AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes

著者 (3件)： ZHANG J. C. (Res. Center for Nano-Device and System, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, JPN) ,  SAKAI Y. (Res. Center for Nano-Device and System, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, JPN) ,  EGAWA T. (Res. Center for Nano-Device and System, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 1  ページ： 013503  発行年： 2010年01月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN深紫外発光ダイオード(LED)の温度依存エレクトロルミネセンス(EL)特性を研究した。このような短波長素子では以前に報告されたことのない低温ELクエンチングを,p型AlGaNヘテロ構造をもつ265nm LEDにおいて観測した。しかしながら,この現象は,薄いi-AlN電子ブロッキング層(EBL)をもつものでは消失した。電子オーバーフローが,EBLの無いLEDで,低温においてより深刻となり,然るに,AlN EBLをもつものでは,それは効果的に抑制されることが分かった。温度依存効率のモデルに基づいて,ELクエンチングを,電子オーバーフローと放射性再結合との競合により説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  *エレクトロルミネセンス ,  温度依存性 ,  *クエンチ ,  オーバフロー ,  窒化アルミニウム ,  効率 ,  再結合
準シソーラス用語： *深紫外発光ダイオード ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  クエンチング ,  ヘテロ構造

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： AlGaN ,  深紫外発光ダイオード ,  低温