文献

J-GLOBAL ID：201002228154011726   整理番号：10A0327494

強誘電性物質を用いた有機不揮発性記憶デバイス

Organic Nonvolatile Memory Devices Based on Ferroelectricity

著者 (7件)： NABER Ronald C. G. (ECN Solar Energy, Petten, NLD) ,  ASADI Kamal (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  BLOM Paul W. M. (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  BLOM Paul W. M. (Holst Centre, Eindhoven, NLD) ,  DE LEEUW Dago M. (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  DE LEEUW Dago M. (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  DE BOER Bert (Univ. Groningen, Groningen, NLD)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 9  ページ： 933-945  発行年： 2010年03月05日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 情報処理に必要な不揮発性記憶デバイスの開発について,強誘電性有機化合物の利用に注目し,蓄電器,電界効果トランジスタ,ダイオード,集積回路メモリーなどへの具体的な応用例に基づいて現状を総説した。強誘電性有機化合物には,フッ化ポリビニリデン及びフッ化ポリビニリデンとトリフルオロエチレンとの共重合体が広く用いられていること(蓄電器,電界効果トランジスタ,ダイオードなどへの応用),特に共重合体が強誘電性有機化合物として広く利用されていることなどを論述した。

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *記憶装置 ,  *不揮発性メモリ ,  コンデンサ ,  FET【トランジスタ】 ,  ダイオード ,  集積回路メモリ ,  ポリフッ化ビニリデン ,  共重合体 ,  脂肪族フッ素化合物 ,  オレフィン化合物 ,  強誘電体FET
準シソーラス用語： フッ化ポリビニリデン ,  *記憶デバイス ,  *強誘電性物質 ,  強誘電体電界効果トランジスタ ,  蓄電器 ,  電界効果トランジスタ ,  *不揮発性記憶

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： トリフルオロエチレン

タイトルに関連する用語 (2件)： 強誘電性物質 ,  不揮発性記憶デバイス