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J-GLOBAL ID：201002228194360944   整理番号：10A0204530

ウエハー長のエピタキシャルグラフェンの100GHzトランジスター

100-GHz Transistors from Wafer-Scale Epitaxial Graphene

著者 (7件)： LIN Y.-M. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  DIMITRAKOPOULOS C. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  JENKINS K. A. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  FARMER D. B. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  CHIU H.-Y. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  GRILL A. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  AVOURIS Ph. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 327  号： 5966  ページ： 662  発行年： 2010年02月05日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは単(または2)原子層の物質で,電子は非常に高い移動度を持つ。したがって,超高振動数で動作するトランジスターを作ることができるはずである。著者達は2-inchのSiCウエファーにエピタキシャルにグラフェン(1層から2層)を作り,ポリマー層,さらにHfO層を載せて,電界効果トランジスター(FET)を作製した。キャリヤ密度は3×10¹²,Hall効果移動度は1000~1500cm²V^-1s^-1である。種々のゲート長のトップゲートアレイのFETを作製した。240nmゲート長に対して,2.5Vのドレーンバイアスで遮断振動数は100GHzであった。その他の特性についても述べ,グラフェンはエレクトロニクス応用について高い機能を期待できると結論している。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *グラファイト ,  半導体薄膜 ,  *キャリア移動度 ,  炭化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  ヘテロエピタクシー ,  *FET【トランジスタ】 ,  酸化ハフニウム ,  キャリア密度 ,  *Hall効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ウエハー ,  エピタキシャルグラフェン ,  トランジスター