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J-GLOBAL ID：201002228780298409   整理番号：10A0335953

SiC結晶の長時間のPVT成長における粉末の昇華の挙動

The behavior of powder sublimation in the long-term PVT growth of SiC crystals

著者 (9件)： LIU Xi (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  LIU Xi (Graduate Univ. of Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100049, CHN) ,  LIU Xi (Key Lab. of Inorganic Coating Materials, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  CHEN Bo-yuan (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  CHEN Bo-yuan (Graduate Univ. of Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100049, CHN) ,  SONG Li-xin (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  SONG Li-xin (Key Lab. of Inorganic Coating Materials, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  SHI Er-wei (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN) ,  CHEN Zhi-zhan (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200050, CHN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 9  ページ： 1486-1490  発行年： 2010年04月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 粉末の昇華に及ぼす種々の温度分布の影響を実験とシミュレーションによって研究した。粉末と種結晶の間の質量輸送が円滑に続行するとき,粉末における適切な大きい温度差が高い成長速度に寄与する。それにもかかわらず,粉末の底での再結晶化は成長に利用できる粉末を減少させるので,避けるべきである。一方,粉末における温度差が非常に大きくなり,粉末の昇華の速度が増大して粉末と種結晶の間の質量輸送速度の正常限界を超えると,粉末中での質量輸送が妨げられ,結晶成長が中断する。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  温度依存性 ,  X線回折 ,  単結晶 ,  *気相成長 ,  *昇華 ,  計算機シミュレーション ,  再結晶 ,  物質移動
準シソーラス用語： 質量輸送

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  結晶 ,  長時間 ,  PVT ,  成長 ,  粉末 ,  昇華 ,  挙動