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J-GLOBAL ID：201002228826585360   整理番号：10A0159013

表面処理技術の発展を期待して

著者 (1件)： 粟倉泰弘
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 61  号： 2  ページ： 112-115  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 湿式表面処理技術の基礎となる物理化学およびプロセスの反応速度について述べた。めっきプロセスの物理化学,酸-塩基反応と酸化還元反応,電極電位,めっき過程などに対する電位-pH図の適用,めっきの成膜速度,めっき浴内のイオン移動などについて説明した。

シソーラス用語： *湿式法 ,  *めっき ,  反応速度 ,  *中和反応 ,  *酸化還元反応 ,  *電極電位 ,  状態図 ,  めっき液 ,  イオン輸送 ,  表面処理
準シソーラス用語： イオン移動 ,  酸塩基反応 ,  電位-pH図

分類 (1件)： 電気めっき  (WC08023B)

引用文献 (27件)：

• LE CHATELIER, H. Ann. Mines. 1888, 13, 8, 157
• 粟倉泰弘. OKUNO TOP TECHNO FOCUS. 2002, 27, 1
• 高橋正男. 電解百話. 2000, 第一分冊, 31
• POURBAIX, Marcel. Atlas of Electrochemical Equilibria in Aqueous Solutions. 1974
• 増子昇. 溶融塩. 1963, 6, 3, 570

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面処理 ,  発展 ,  期待