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J-GLOBAL ID：201002229438798080   整理番号：10A0193482

気相成長Zn_1-xCr_xTe結晶の光学的および電気的特性

Optical and electrical properties of vapour phase grown Zn_{1- x} Cr _x Te crystals

著者 (7件)： KRISHNAIAH G. (Dep. of Physics, S.V.A. Govt. Coll. (M), Srikalahasti 517644, IND) ,  REDDY B.k. (Dep. of Physics, Sri Venkateswara Univ., Tirupati 517502, IND) ,  MADHUSUDHANA RAO N. (School of Sci. and Humanities, VIT Univ., Vellore, IND) ,  SUBRAHMANYAM J. (Dep. of Physics, Sri Venkateswara Univ., Tirupati 517502, IND) ,  REDDY D. Raja (Dep. of Physics, Sri Venkateswara Univ., Tirupati 517502, IND) ,  RAO J.l. (Dep. of Physics, Sri Venkateswara Univ., Tirupati 517502, IND) ,  REDDY P. Sreedhara (Dep. of Physics, Sri Venkateswara Univ., Tirupati 517502, IND)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 10  ページ： 2599-2602  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0≦x≦0.005での,希薄磁性半導体Zn_1-xCr_xTeの気相成長させた結晶の光学および電気特性を評価した。拡散反射スペクトルは,組成xに伴う基本吸収端(E₀)の増大,およびそれが⁵T₂→⁵E遷移に起因して5200cm^-1周囲での広い吸収バンドによって支配されている事を示した。⁵T₂および⁵E準位は,基底状態にある⁵D自由イオンの結晶場分裂により生じる。電気抵抗率測定は,200~450Kの温度範囲でのこの試料のp型伝導性の半導体的挙動を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *気相成長 ,  磁性半導体 ,  反射スペクトル ,  吸収端 ,  可視吸収スペクトル ,  *電気抵抗率 ,  P型半導体 ,  エネルギーギャップ ,  バンド構造 ,  エネルギー準位 ,  *テルル化亜鉛 ,  *クロム ,  ドーピング ,  化合物半導体 ,  不純物準位 ,  *光学定数 ,  結晶場
準シソーラス用語： *拡散反射スペクトル ,  *希薄磁性半導体

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 気相成長 ,  結晶 ,  光学 ,  電気的特性