文献

J-GLOBAL ID：201002229456271464   整理番号：10A0942966

金属-強誘電体(Bi_3.15Nd_0.85Ti₃O₁₂)-絶縁体(Y₂O₃安定化ZrO)-シリコンダイオード

The electrical and switching properties of a metal-ferroelectric (Bi_3.15Nd_0.85Ti₃O₁₂)-insulator (Y₂O₃-stabilized ZrO₂)-silicon diode

著者 (6件)： ZHANG Y. (Inst. of Modern Physics, Xiangtan Univ., Xiangtan, 411105 Hunan, China and Key Lab. of Low Dimensional Materials and ...) ,  ZHONG X. L. (Inst. of Modern Physics, Xiangtan Univ., Xiangtan, 411105 Hunan, China and Key Lab. of Low Dimensional Materials and ...) ,  WANG J. B. (Inst. of Modern Physics, Xiangtan Univ., Xiangtan, 411105 Hunan, China and Key Lab. of Low Dimensional Materials and ...) ,  SONG H. J. (Inst. of Modern Physics, Xiangtan Univ., Xiangtan, 411105 Hunan, China and Key Lab. of Low Dimensional Materials and ...) ,  MA Y. (Inst. of Modern Physics, Xiangtan Univ., Xiangtan, 411105 Hunan, China and Key Lab. of Low Dimensional Materials and ...) ,  ZHOU Y. C. (Inst. of Modern Physics, Xiangtan Univ., Xiangtan, 411105 Hunan, China and Key Lab. of Low Dimensional Materials and ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 10  ページ： 103501  発行年： 2010年09月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体層としてBi_3.15Nd_0.85Ti₃O₁₂(BNT)及び絶縁バッファ層としてY₂O₃安定化ZrO(YSZ)をもつ金属-強誘電体-絶縁体-シリコンダイオードを作製した。測定は,作製ダイオードのメモリウィンドウが,動作温度の上昇とともに減少し,それが,BNT膜の抗電場及び分極の低下によるものであることを明らかにした。ダイオードは,YSZ/Siの良好な界面及び高い障壁高さのため,優れた保持時間及び疲れ特性を実証した。加えて,ダイオードのスイッチングは近似的な低電流過程に対応しており,完全スイッチング時間は,ゲート電圧の増大とともに,明らかな減少を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ダイオード ,  *強誘電体 ,  ビスマス化合物 ,  ネオジム化合物 ,  チタン酸塩 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  抗電場 ,  分極 ,  界面 ,  障壁 ,  保持時間 ,  疲れ ,  スイッチング ,  *絶縁体
準シソーラス用語： YSZ【セラミック】 ,  *メモリウィンドウ【半導体】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  BI3 ,  絶縁体 ,  Y2O3 ,  安定化