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J-GLOBAL ID：201002229543018996   整理番号：10A1124132

400nm全半導体ピコ秒レーザを用いた体積光学メモリ

Volumetric Optical Recording Using a 400 nm All-Semiconductor Picosecond Laser

著者 (16件)： TASHIRO Shiori (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKEMOTO Yoshihiro (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMATSU Hisayuki (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  MIURA Takahiro (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUJITA Goro (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  IWAMURA Takashi (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  UEDA Daisuke (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  UCHIYAMA Hiroshi (Sony Corp., Miyagi, JPN) ,  YUN KyungSung (Sony Chemical & Information Device Corp., Tochigi, JPN) ,  KURAMOTO Masaru (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KURAMOTO Masaru (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIYAJIMA Takao (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  MIYAJIMA Takao (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IKEDA Masao (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  IKEDA Masao (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YOKOYAMA Hiroyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 10  ページ： 102501.1-102501.3  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 404nmにおいて3psの光パルスと100Wの最高ピーク出力を発生する繰り返し周波数1GHzの全半導体ピコ秒レーザを用いて体積光学メモリを実現した。このパルスレーザシステムは,高いピーク出力と高い繰返し速度のために,記録媒体内に多光子吸収を引き起こす。記録標識は,多光子吸収による単一の厚い記録層の内部のサブミクロンの大きさの空洞として形成される。明瞭な読み出し信号を記録標識から得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体 ,  *ピコ秒 ,  *レーザ ,  光学記録 ,  *光学メモリ ,  多光子遷移 ,  *体積光学メモリ ,  多光子吸収

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  光学情報処理  (BD03060T)

引用文献 (13件)：

• MISHIMA, K. Optical Data Storage Topical Meet., 2006. 2006, 123
• ICHIMURA, I. Proc. SPIE. 2007, 6282, 628212
• INOUE, M. Optical Data Storage Top. Meet., 2010. 2010, 7730-12
• STRICKLER, J. H. Opt. Lett. 1991, 16, 1780
• KAWATA, Y. Opt. Lett. 1998, 23, 756

タイトルに関連する用語 (2件)： ピコ秒レーザ ,  体積光学メモリ