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J-GLOBAL ID：201002229606633815   整理番号：10A0256399

a-Si膜の熱結晶化におけるレーザプラズマ軟X線照射の効果

Effect of Laser Plasma soft X-ray irradiation on thermal crystallization at a-Si

著者 (6件)： 礒田伸哉 (兵庫県大) ,  部家彰 (兵庫県大) ,  天野壮 (兵庫県大 高度産業科学技術研) ,  宮本修治 (兵庫県大 高度産業科学技術研) ,  松尾直人 (兵庫県大) ,  望月孝晏 (兵庫県大 高度産業科学技術研)
資料名： 兵庫県立大学大学院工学研究科研究報告  (Reports of Graduate School of Engineering, University of Hyogo)
号： 62  ページ： 53-57  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： F0648B  ISSN： 1349-855X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 携帯電話といったモバイル向けのディスプレイの需要に伴い,より柔軟なフレキシブル基板を用いたディスプレイが注目を集めている。だが,このフレキシブルディスプレイの実現には,液晶ディスプレイの駆動素子として用いられる多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスターの半導体poly-Si層の成膜温度が課題とされている。過去の調査において,レーザプラズマ軟X線(LPX)を照射したa-Si膜にエキシマレーザアニール(ELA)を行うことで,結晶化閾値エネルギー密度がELA結晶化のみの閾値よりも下がること,更に,LPX照射によって波長500nm近傍の光透過率が増加すること等が明らかとされている。本稿では,LPXを照射したa-Si膜を,ラマン分光法,分光エリプソメトリにより解析した。更に,LPX照射/未照射試料を,赤外炉を用いて結晶化させて,ラマン分光法,SEM等によって観察を行った。この結果,LPX照射によるa-Si膜上部の屈折率等の変化により2重構造となり,更に,膜中のダングリングボンド数が減少したことから,LPX照射によりSiの構造が変化して,a-Si膜表面近傍に擬似結晶核が形成されることなどの知見が得られた。

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,  ケイ素 ,  *結晶化 ,  軟X線 ,  レーザプラズマ ,  *X線照射 ,  柔軟性 ,  *ポリシリコン ,  半導体薄膜 ,  液晶ディスプレイ ,  薄膜トランジスタ ,  Ramanスペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  偏光解析法 ,  屈折率 ,  *照射損傷
準シソーラス用語： フレキシブルディスク ,  分光エリプソメトリー

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si膜 ,  結晶化 ,  レーザプラズマ ,  軟X線