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J-GLOBAL ID：201002229826814217   整理番号：10A0549011

高電力モジュールの電力密度を増加するためのトレンチゲートIGBT素子とCIGBT素子との比較

Comparison of Trench Gate IGBT and CIGBT Devices for Increasing the Power Density From High Power Modules

著者 (5件)： LUTHER-KING Ngwendson (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  SANKARA NARAYANAN Ekkanath M (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  COULBECK Lee (Dynex Semiconductors, Lincolnshire, GBR) ,  CRANE Allan (Converteam Ltd., Rugby, GBR) ,  DUDLEY Robert (Dudley Associates, Leicestershire, GBR)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 25  号： 3-4  ページ： 583-591  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力モジュールの機能性と出力電力密度を増加する開発が集中的に進められてきた。トレンチゲートMOS制御素子はVce(飽和)電圧が低下し,導通電流密度を増加できるため高電力応用に適している。しかし,ドリフト領域が厚いとトレンチゲート型(T-IGBT)ではオン状態損失が大幅に増加する。一方,トレンチクラスタ型(T-CIGBT)MOS制御サイリスタ構造ではオン状態損失は低い。本報告では拡張二次元シミュレーションを用い,ハードスイッチング応用での3.3kV/800AのT-CIGBTとT-IGBTを比較した。T-CIGBTは付加的なプロセスを必要とするが,サイリスタ導通のためT-IGBTに比較してVceが0.7V低くなった。さらに,T-CIGBTは短絡回路耐量を有し,かつ,Vce-Eoffの競合トレードオフを有していた。これらの結果により,T-CIGBTはモジュールの電力密度をT-IGBT以上に増加する上で極めて有望なことを明らかにした。

シソーラス用語： *回路モジュール ,  *密度 ,  IGBT ,  クラスタ ,  サイリスタ ,  シミュレーション ,  スイッチング ,  短絡【電気】
準シソーラス用語： トレンチゲート ,  短絡回路 ,  *電力モジュール ,  *電力密度

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  サイリスタ  (NC03060C) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電力モジュール ,  電力密度 ,  トレンチゲート ,  IGBT