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J-GLOBAL ID:201002229841488733   整理番号:10A0516324

液相焼結SiCセラミックスにおけるAlN添加物と放電プラズマ焼結による粒成長の抑制

Inhibition of grain growth in liquid-phase sintered SiC ceramics by AlN additive and spark plasma sintering
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資料名:
巻: 30  号: 10  ページ: 2117-2122  発行年: 2010年08月 
JST資料番号: E0801B  ISSN: 0955-2219  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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窒素中1900°C600秒の放電プラズマ焼結(SPS)により,種々のAlN及びY2O3焼結助剤組成を持つナノサイズβ-SiC粉末から,SiCセラミックスを調製した。焼結SiC試料の相対密度はAlN量の増加と共に増加し,99%以上の相対密度に達し,同時に粒子サイズは大幅に減少した。150nmの最小の平均粒子サイズは,90mol%のAlNと10mol%のY2O3からなる添加物10wt%で焼結したSiC試料で認められた。AlN添加物とSPS法により,粒成長が抑制され,完全に緻密化したナノ構造SiCセラミックスを得た。70mol%AlNと30mol%Y2O3を含むSiC焼結体の曲げ強度は1000MPaの最大値に達した。AlNとY2O3を添加して調製したSiC焼結体は約2.5MPam1/2の破壊靱性を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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セラミック・陶磁器の製造 

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