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J-GLOBAL ID：201002230067628290   整理番号：10A0850530

外部電場の影響下でのSi/a-SiN_x:Hヘテロ接合の過剰電荷キャリアの研究

Study of Excess Charge Carrier Lifetime in Si/a-SiN_x:H Heterojunctions under the Influence of an External Field

著者 (2件)： MORENO E. Martinez (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Berlin, DEU) ,  KUNST M. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Berlin, DEU)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13  号： 9  ページ： H305-H308  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siのa-SiN_x:H層による電気的不動態化は,主に電界不動態化による。すなわちSi/a-SiN_x:H界面の空間電荷電場により再結合する電子と正孔の相互作用が妨げられる。フラットバンド電圧の時間分解マイクロ波伝導性減衰時間から再結合表面サイトの密度に関する情報が得られる。Si/a-SiN_x:H界面は外部分極下の電気化学電池では不安定である。電解質とa-SiN_x:H層の間及びSiとa-SiN_x:H層の間に電荷キャリア交換が認められた。

シソーラス用語： *外場 ,  *電場 ,  *電場効果 ,  *ケイ素 ,  *窒化ケイ素 ,  *水素 ,  *ドーピング ,  *ヘテロ接合 ,  *キャリア ,  *非晶質 ,  不動態化 ,  空間電荷 ,  キャリア再結合 ,  電子正孔対 ,  相互作用 ,  電圧 ,  計測 ,  マイクロ波 ,  界面 ,  電解質 ,  固液界面 ,  減衰時間 ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： プラズマ増強CVD ,  フラットバンド電圧 ,  *外部電場 ,  固固界面 ,  時間分解法 ,  *電荷キャリア

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 外部電場 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  電荷キャリア ,  研究