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J-GLOBAL ID：201002230117064997   整理番号：10A0122918

GaAs/Si基板上のGaAsのマイクロチャンネルエピタクシーに及ぼす転位密度の効果

Effect of dislocation density on microchannel epitaxy of GaAs on GaAs/Si substrate

著者 (3件)： CHANG Yung-sheng (Dep. of Microelectronic Engineering, National Kaohsiung Inst. of Marine Technol., 142 Hai-Chuan Rd. Nantzu ...) ,  NARITSUKA Shegeya (Fac. of Sci. and Technol., Meijo Univ., 1-501 Shiogama-guchi, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8502, JPN) ,  NISHINAGA Tatau (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 5  ページ： 629-634  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に広い無転位領域を持つマイクロチャンネルエピタクシー(MCE)成長させたGaAs層を得ることに成功したことを報告してきた。本報では,Si基板上にMBE成長させたGaAsバッファ層のW/T比の転位密度依存性を報告する。W/T比は,MBE成長させたGaAsバッファ層の転位密度に強く依存し,W/T比はSi基板上のMBE成長させたGaAsバッファ層の転位密度の減少とともに増した。AFM観察から,MCE層表面にMCEに成長階段を提供する多重螺旋が一重螺旋により形成されることが明らかになった。さらに,多重螺旋を形成する一重螺旋の数はGaAs/Si基板の転位密度の減少につれ減少し,MCE形成のためのステップ数密度の減少をもたらした。結果として,一重螺旋転位数の減少はW/T比の増加という結果をもたらした。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *バッファ層 ,  MBE成長 ,  *転位密度 ,  チャネル ,  選択成長 ,  *エッチング ,  *LPE成長 ,  積層欠陥 ,  マイクロチャネル
準シソーラス用語： Si基板 ,  *マイクロチャンネルエピタクシー

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  Si基板 ,  転位密度