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J-GLOBAL ID：201002230133534782   整理番号：10A0391034

単結晶ダイアモンド中に埋め込まれた導電性マイクロチャンネルのMeVのCおよびHe注入による形成

Formation of buried conductive micro-channels in single crystal diamond with MeV C and He implantation

著者 (9件)： PICOLLO F. (Experimental Physics Dep., INFN Sezione di Torino, Centre of Excellence “Nanostructured Interfaces and Surfaces” ...) ,  OLIVERO P. (Experimental Physics Dep., INFN Sezione di Torino, Centre of Excellence “Nanostructured Interfaces and Surfaces” ...) ,  BELLOTTI F. (Quantum Res. Lab., Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica, Strada delle Cacce 91, 10135 Torino, ITA) ,  PASTUOVIC Z. (Lab. for Ion Beam Interactions, Ruder Boskovic Inst., Bijenicka 54, HR-10000 Zagreb, HRV) ,  SKUKAN N. (Lab. for Ion Beam Interactions, Ruder Boskovic Inst., Bijenicka 54, HR-10000 Zagreb, HRV) ,  GIUDICE A. Lo (Experimental Physics Dep., INFN Sezione di Torino, Centre of Excellence “Nanostructured Interfaces and Surfaces” ...) ,  AMATO G. (Quantum Res. Lab., Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica, Strada delle Cacce 91, 10135 Torino, ITA) ,  JAKSIC M. (Lab. for Ion Beam Interactions, Ruder Boskovic Inst., Bijenicka 54, HR-10000 Zagreb, HRV) ,  VITTONE E. (Experimental Physics Dep., INFN Sezione di Torino, Centre of Excellence “Nanostructured Interfaces and Surfaces” ...)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 19  号： 5-6  ページ： 466-469  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前の研究に示したように,傾斜した厚さを有するマスクを通してMeVのイオンマイクロビームを注入することによって,絶縁性マトリックス中制御された深さに埋め込まれたダイアモンド中導電性マイクロチャンネルの形成が可能である[P.Olivero et al.,Diamond Relat. Mater. 18(5-8),870~876(2009)]。本研究では,そのようなマイクロチャンネルの,イオン種,エネルギー,注入フルエンスといった,いくつかの注入条件の関数としての系統的な電気的評価について報告する。埋め込みチャンネルの電流-電圧(IV)評価を2端子法により室温で測定した。IV指数則傾向の特性指数(α)およびシート抵抗のような重要な因子は,異なる注入条件で得られた結果間の満足できる整合性を持って,損傷密度の関数として表された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  単結晶 ,  *イオンビーム加工 ,  チャネル ,  微細加工 ,  導電性 ,  プロセスパラメータ ,  電流電圧特性 ,  欠陥密度 ,  相関 ,  マイクロチャネル

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶ダイアモンド ,  導電性 ,  マイクロチャンネル ,  He ,  注入