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J-GLOBAL ID：201002230294558967   整理番号：10A0544255

偏極中性子反射率によって調べる磁性半導体の化学的および磁化プロフィール

Chemical and magnetic profile of magnetic semiconductors as probed by polarized neutron reflectivity

著者 (2件)： PAUL Amitesh (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU) ,  MATTAUCH Stefan (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 18  ページ： 185002,1-9  発行年： 2010年05月12日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共ドーピング希薄磁性半導体(DMS)内の磁性元素の深さ依存を知ることは重要である。しかし,そのような研究は測定されたデータの質に極端に敏感である。それゆえ,筆者らは同じ半導体母材中の磁気分離あるいは非分離を同定し,区別する詳細な研究をここでは紹介する。筆者らは,共ドーピングDMS試料中の磁性元素の深さ依存分離を研究するために異なった中性子源について種々の手段から得た偏極中性子反射率(PNR)データの比較を実施する。この結果,DMS層(共ドーピング磁気イオン濃度による)内の有効磁化が十分有意義であるとき,PNRはそのような分離を有効に示し得ることを見出す。より低い磁化(磁性イオン濃度の共ドーピングを交互に入れ替えることによる)でさえも試料の深さプロファイリングは利用可能な最も強いソースで,そして全体的なQ解像度で,そして機器のより低いバックグラウンドレベルで克服することが可能な課題である。筆者らの結果は,スピン工学応用のための候補となるGe母材内のFe共ドーピングで均質性が達成可能であることを示す。

シソーラス用語： *反射率 ,  *中性子 ,  *磁性半導体 ,  *ドーピング ,  *磁化 ,  *磁力分離 ,  *深さ
準シソーラス用語： プロファイル ,  共ドーピング ,  磁化プロフィール ,  磁気分離 ,  深さ依存 ,  偏極中性子反射率

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 偏極中性子 ,  反射率 ,  磁性半導体 ,  化学 ,  磁化 ,  プロフィール