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J-GLOBAL ID：201002230410184573   整理番号：10A0894269

低温水性化学的方法によって成長させたAu/ZnOナノロッドSchottky発光ダイオードの研究

Study of Au/ZnO nanorods Schottky light-emitting diodes grown by low-temperature aqueous chemical method

著者 (6件)： BANO N. (Linkoeping Univ., Norrkoeping, SWE) ,  HUSSAIN I. (Linkoeping Univ., Norrkoeping, SWE) ,  NUR O. (Linkoeping Univ., Norrkoeping, SWE) ,  WILLANDER M. (Linkoeping Univ., Norrkoeping, SWE) ,  KWACK H. S. (Univ. Joseph Fourier, Grenoble, FRA) ,  LE SI DANG D. (Univ. Joseph Fourier, Grenoble, FRA)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 100  号： 2  ページ： 467-472  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直配列ZnOナノロッド(NR)を4H-n-SiC基板上に標記の方法で成長させて,Schottky発光ダイオードを作製した。その電流電圧特性は,良好な整流挙動を示した。ZnO NRの室温陰極線ルミネセンス(CL)スペクトルは,バンド端近傍発光と690nmに中心をもつ深準位発光(DLE)を示し,後者の強度は,界面欠陥の増大と自己吸収UV発光の変換により,電子ビーム侵入度とともに増強した。NR深さに沿ってDLEの変化を観測し,それがNR-基板界面近傍の低構造品質によると結論した。SiCの室温CLは非常に弱い発光であり,DLEの大部分はZnO NRによると報告した。

シソーラス用語： 半導体金属接合 ,  *発光ダイオード ,  *Schottky障壁ダイオード ,  ナノロッド ,  金 ,  酸化亜鉛 ,  溶液成長 ,  基板 ,  炭化ケイ素 ,  ポリタイプ ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  整流 ,  陰極線ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  深い準位 ,  侵入度 ,  低温

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温水 ,  化学 ,  成長 ,  Au ,  ZnOナノロッド ,  発光ダイオード ,  研究