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J-GLOBAL ID：201002230416398303   整理番号：10A0319478

高収率低起電力でトップゲートな有機電界効果型トランジスタのための空気に安定な架橋されたCytopに極薄ゲート誘電体

Air Stable Cross-Linked Cytop Ultrathin Gate Dielectric for High Yield Low-Voltage Top-Gate Organic Field-Effect Transistors

著者 (9件)： CHENG Xiaoyang (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  CAIRONI Mario (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  NOH Yong-Young (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  NOH Yong-Young (Hanbat National Univ., Daejeon, KOR) ,  WANG Jianpu (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  NEWMAN Christopher (Polyera Corp., Illinois) ,  YAN He (Polyera Corp., Illinois) ,  FACCHETTI Antonio (Polyera Corp., Illinois) ,  SIRRINGHAUS Henning (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 22  号： 4  ページ： 1559-1566  発行年： 2010年02月23日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 架橋したアモルファスフルオロポリマー(Cytop,ポリペルフルオロブテニルビニルエーテル)を用いて,空気中室温下でほぼ定量的な高収率で厚さ100nm以下の有機電界効果型トランジスタ(OFET)薄膜を調製した。架橋剤として1,6-ビス(トリクロロシリル)ヘキサンを用いた。調製したOFET薄膜は漏れ電流密度も10nAmm^-2以下とかなり少なく,2mVcm^-1以上の高い誘電率をもち,5V以下の低起電力である高性能新素材の開発に成功した。

シソーラス用語： *非晶質 ,  *フッ素化重合体 ,  FET【トランジスタ】 ,  高分子薄膜 ,  漏れ電流 ,  電流密度 ,  誘電率 ,  起電力 ,  *誘電体薄膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  *架橋【高分子】 ,  架橋剤
準シソーラス用語： *ポリペルフルオロブテニルビニルエーテル

分類 (2件)： 高分子と低分子との反応  (CG03020L) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 収率 ,  起電力 ,  トップ ,  ゲート ,  電界効果型トランジスタ ,  架橋 ,  ゲート誘電体